snapdragon 8 gen 3 文章 最新資訊
閃迪PCIe Gen 5企業(yè)級固態(tài)硬盤榮獲開放計算組織OCP Inspired?認證
- Sandisk閃迪近日宣布，其PCIe? Gen 5 SANDISK? SN861 NVMe SSD已獲得開放計算組織（Open Compute Project，OCP）的OCP Inspired?認證。這一認證意味著SANDISK? SN861 NVMe SSD在OCP協(xié)會的評審中展現(xiàn)出卓越的產(chǎn)品效率、影響力、開放性、可擴展性和可持續(xù)性，符合數(shù)據(jù)中心NVMe SSD規(guī)范。目前，SANDISK? SN861 NVMe SSD已正式上線OCP Marketplace平臺。
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Microchip推出首款3納米PCIe Gen 6交換機，賦能現(xiàn)代AI基礎(chǔ)設(shè)施
- 隨著人工智能（AI）工作負載和高性能計算（HPC）應(yīng)用對數(shù)據(jù)傳輸速度與低延遲的需求持續(xù)激增，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）宣布推出下一代Switchtec? Gen 6 PCIe? 交換機。作為業(yè)界首款采用3納米制程工藝的PCIe Gen 6交換機，Switchtec Gen 6系列旨在實現(xiàn)更低功耗，并支持最多160通道，滿足高密度AI系統(tǒng)的連接需求。該系列交換機的高級安全功能包括基于硬件的信任根、安全啟動功能，并采用符合美國商用國家安全算法規(guī)范2.0（CNSA 2.0
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高通的18核 Snapdragon X2 Elite Extreme在基準測試中占據(jù)主導(dǎo)地位
- 上周，高通在年度峰會上宣布了即將推出的適用于筆記本電腦和緊湊型臺式機的 Snapdragon X2 Elite 和 X2 Elite Extreme 芯片。一些規(guī)格已經(jīng)公布（高端 Extreme 型號將包含 18 個內(nèi)核，兩個內(nèi)核的最高時鐘速度為 5 GHz），該公司做出了崇高的承諾，即性能提高 31%，同時功耗比第一代 Snapdragon X 芯片低 43%。但直到現(xiàn)在，它才展示任何基準數(shù)據(jù)或支持這些說法。我們參加了這次活動，并能夠在該公司的超薄參考設(shè)計筆記本電腦上自己進行一些測試。從某種意
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聯(lián)發(fā)科天璣9500：旨在超越Snapdragon 8 Gen 3和蘋果A17
- 關(guān)鍵點：尖端 3nm“全大核”CPU：天璣 9500 采用臺積電 8nm N3P 工藝，配備 1 個高性能內(nèi)核（4.21 個超 @ 4.21GHz、3 個高級 @ 3.7GHz、4 個性能 @ 3GHz）.這種第三代“全大核”設(shè)計（無低功耗內(nèi)核）的單核性能比其前身提高了 32%，多核性能提高了 17%，同時將峰值功耗削減 37%（主核心在全油門時的功耗降低 55%）.破紀錄的人工智能和 NPU：全新雙核 NPU （MediaTek NPU 990） 搭載生成式 AI 引擎 2.0，將 AI 計算能力提升一
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用于 gen-7 IGBT模塊的硅凝膠
- 陶氏公司的目標是使用其最新的硅凝膠來開發(fā) IGBT 模塊，以支持 800V 車輛和可再生能源高達 180°C 的運行溫度?！霸诠夥姵匕搴惋L(fēng)力渦輪機中，逆變器的功率密度正在增加，”該公司表示?！坝捎诘?7 代 IGBT 技術(shù)的結(jié)溫更高，電壓更高，電氣負載更大，硅凝膠需要具有強大的介電性能和增強的耐熱性?！盓G-4175 是一種材料，在使用前由等量的兩種粘度匹配的前體混合。它無需單獨的底漆即可自吸以實現(xiàn)粘合，并在室溫下固化——盡管可以使用熱量來加速固化。陶氏聲稱，在使用中，“該材料可以吸收振動并具有自愈特性
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Snapdragon 8 Gen 5是高通迄今為止最強大的處理器嗎？
- 高通正準備推出其下一款旗艦智能手機芯片。新的泄漏讓我們更清楚地了解會發(fā)生什么。即將推出的處理器之前被傳為 Snapdragon 8 Elite Gen 2，可能會以 Snapdragon 8 Gen 5 的名稱上市。不管叫什么名字，性能數(shù)據(jù)看起來都令人驚嘆。根據(jù)爆料者數(shù)碼閑聊站的一份新報告，驍龍 8 Gen 5 已經(jīng)在安兔兔基準測試上跨越了一個令人難以置信的里程碑。據(jù)報道，該芯片得分超過 400 萬分。這遠遠領(lǐng)先于目前的高端處理器，后者的得分通常在 2.5 到 300 萬之間。這意味著新的 Snapdra
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或有多個版本！又有小米自研芯跑分曝光：10核3nm設(shè)計、超驍龍8 Gen 3
- 5月20日消息，雷軍之前已經(jīng)宣布了小米自研芯片玄戒O1，而它可能只是一個代號，最終的成品或許會有多個版本。如果熟悉芯片設(shè)計的朋友應(yīng)該都清楚，廠商在規(guī)劃一款芯片設(shè)計時，必然會有多款相關(guān)版本的衍生，所以這更像是一個大類，而非具體到一個型號。有網(wǎng)友發(fā)現(xiàn)，Geekbench 6.1.0上出現(xiàn)了小米新機的跑分成績，而主板信息顯示為"O1_asic"，從跑分上看，該機的單核跑分最高 2709、多核跑分8125，比高通驍龍8 Gen 3 的成績還要高一些，可以說表現(xiàn)亮眼。跑分頁面還顯示，該處理器的C
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Sandisk閃迪發(fā)布 WD_BLACK? SN8100 NVMe? SSD，以行業(yè)前沿速度推動 PCIe Gen 5.0 NVMe? SSD 發(fā)展
- Sandisk?閃迪于近日正式發(fā)布其采用先進 PCIe? Gen 5.0 技術(shù)的WD_BLACK? SN8100 NVMe? SSD，推動客戶端 SSD 產(chǎn)品發(fā)展。這款先進的內(nèi)置 SSD 順序讀取速度高達14,900 MB/s[1]，容量高達8TB[2]，專為高性能游戲、內(nèi)容創(chuàng)作和人工智能（AI）工作負載設(shè)計。
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Valve 的下一代 VR 頭顯工程機規(guī)格泄露：高通驍龍 8 Gen 3 芯片
- 3 月 24 日消息，消息人士 SadlyItsDadley 上周于 X 發(fā)布了推文，泄露了 Valve 的下一代 VR 頭顯（代號 Deckard）的工程機細節(jié)。SadlyItsDadley 于推文中稱 Deckard 的概念驗證工程機（PoC-F）搭載了高通驍龍 SM8650（驍龍 8 Gen 3）芯片，該芯片已應(yīng)用于小米 14、三星 S24 和一加 12 等旗艦級手機。該工程機在顯示方面搭載了 JDI 供應(yīng)的 2.8 英寸 LCD 面板，單眼分辨率 2160*2160，刷新率 120Hz。他
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Snapdragon Sound 驍龍暢聽技術(shù)：“聲”臨其境暢享無線好聲音
- 從頻頻出圈的音樂綜藝，到火爆的年度大劇，再到逐漸崛起的國產(chǎn)游戲大作，這些優(yōu)質(zhì)的IP內(nèi)容不僅帶來了精彩的視覺享受，也進一步提升了觀眾對音頻體驗的期待。為打造更加無縫的沉浸式音頻體驗，Snapdragon Sound 驍龍暢聽技術(shù)將無線音頻、連接和移動領(lǐng)域的多種技術(shù)進行優(yōu)化組合，帶來清晰的音質(zhì)、可靠的連接和超低時延，讓用戶在多種場景下都能解鎖高品質(zhì)聽音體驗。無損音質(zhì)，好聲音漸入佳境無論是震撼人心的音樂，還是細膩動人的臺詞對白，出色的音質(zhì)往往能讓人們更深入地融入其中，感受每一幀畫面的情感張力。Snapd
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Imagination GPU為瑞薩R-Car Gen 5系列SoC提供強大高效的算力
- Imagination Technologies（以下簡稱“Imagination”）近日宣布，瑞薩在其下一代R-Car Gen 5 SoC集成了IMG B-Series 汽車級GPU。瑞薩獲得授權(quán)使用的IMG BXS圖形處理器具備卓越的并行計算能力，能夠滿足新一代汽車系統(tǒng)所需的沉浸式圖形渲染和混合關(guān)鍵性工作負載的需求。與市場上的競品方案相比，它在將理論性能（TFLOPS）轉(zhuǎn)化為實際性能（FPS）方面表現(xiàn)更為高效?！癐magination的汽車產(chǎn)品完美契合未來汽車在性能、靈活性和安全性方面的需求，”瑞薩高
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高通推出全新驍龍座艙至尊版平臺和Snapdragon Ride至尊版平臺
- 要點：●? ?理想汽車和梅賽德斯-奔馳公司將在其未來的量產(chǎn)車型中采用驍龍至尊版汽車平臺●? ?全新的驍龍座艙至尊版平臺和Snapdragon Ride至尊版平臺首次亮相，采用現(xiàn)專為汽車定制的高通Oryon CPU●? ?與前代頂級平臺相比，全新平臺的CPU速度旨在提升至3倍*，AI性能旨在提升至最高12倍*，增強車內(nèi)體驗近日在驍龍峰會上，高通技術(shù)公司推出其最強大的汽車平臺。此次推出的至尊版汽車平臺是驍龍?數(shù)字底盤?解決方案組合中的最新產(chǎn)品，采用高
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Qualcomm Snapdragon X 芯片快照揭示巨大緩存大量 CPU 內(nèi)核
- 一個名叫 Piglin 的人在中國百度平臺上發(fā)布了一張據(jù)稱是高通驍龍 X 處理器的帶注釋的模具。該圖像顯示了大量的 CPU 內(nèi)核、中等大小的 GPU 和巨大的緩存。不幸的是，芯片沒有透露 45 TOPS 神經(jīng)處理單元 （NPU），高通認為該部件是該片上系統(tǒng)的主要賣點。芯片拍攝的泄密者表明，12 核 Snapdragon X Elite 的芯片尺寸為 169.6 mm^2。這比 Apple 的 10 核 M4 大一點，后者為 165.9 毫米^2。然而，應(yīng)該注意的是，高通的驍龍 X Elite 是采用臺積電
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基于Qualcomm S7 Pro Gen 1平臺TWS耳機方案
- 在藍牙音頻產(chǎn)品市場.高通平臺都是該領(lǐng)域的高端首選.作為引領(lǐng)市場發(fā)展風(fēng)向的指標.近期更是首創(chuàng)結(jié)合高性能、低功耗計算、終端側(cè)AI和先進連接的新一代旗艦平臺Qualcomm S7 Pro Gen1. 開啟音頻創(chuàng)新全新時代，打造突破性的用戶體驗。為通過超低功耗實現(xiàn)高性能的音頻樹立了全新標桿。第一代高通S7和S7 Pro平臺利用無與倫比的終端側(cè)AI水平打造先進、個性化且快速響應(yīng)的音頻體驗。全新平臺的計算性能是前代平臺的6倍，AI性能是前代平臺的近100倍，并以低功耗帶來全新層級的超旗艦性能。高通S7 Pro是首
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snapdragon 8 gen 3介紹
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